Сонячний інвертор 24v 8kw

Ще один вартий обговорення варіант - використання пристроїв FGH30N60LSD. Це IGBT на 30 А/600 В з напругою насичення VCE (SAT) лише 1,1 В. Його втрати при виключенні EOFF дуже високі, досягаючи 10 мДж, тому він підходить лише для низькочастотного перетворення. Опір увімкнення RDS(ON) MOSFET 50 міліом при робочій температурі становить 100 міліом. Тому на 11A він має такий же VDS, як VCE (SAT) IGBT. Оскільки цей IGBT заснований на старішій технології поломки, VCE(SAT) не сильно змінюється з температурою. Таким чином, цей IGBT може зменшити загальні втрати у вихідному мосту, тим самим збільшуючи загальну ефективність інвертора. FGH30N60LSD IGBT перемикається з однієї технології перетворення потужності на іншу виділену топологію кожні півперіоду також дуже корисно. Як топологічний перемикач тут використовується IGBT. У швидшому перетворенні використовуються звичайні та швидкі пристрої суперпереходу відновлення. Для виділеної топології 1200 В і повної мостової структури вищезгаданий FGL40N120AND дуже підходить для комутатора нового високочастотного сонячного інвертора. Коли спеціальні технології вимагають діодів, гарними рішеннями є діоди Stealth II, Hyperfast™ II і вуглецево-кремнієві діоди.

Будь ласка, подивіться, щоб краще зрозуміти нас:

Гарного дня!

Популярні Мітки: Сонячний інвертор 24v 8kw, Китай, виробники, постачальники, фабрика, індивідуальні, котирування, низька ціна, купити знижку, прайс-лист